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onsemi Type N-Channel MOSFET, 337 A, 80 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMTS1D2N08H

N° de stock RS:: 195-2677
Référence fabricant:: NVMTS1D2N08H
Fabricant:: onsemi

onsemi Type N-Channel MOSFET, 337 A, 80 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMTS1D2N08H

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50 - 95	5,188 €	25,94 €
100 +	4,498 €	22,49 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 195-2677
Référence fabricant:: NVMTS1D2N08H
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	337A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	DFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.1mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	147nC
	Maximum Power Dissipation Pd	300W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	1.15mm
	Length	8.1mm
	Width	8 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 337A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type DFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.1mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 147nC
	Maximum Power Dissipation Pd 300W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 1.15mm
	Length 8.1mm
	Width 8 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet NVMTS1D2N08H

Automotive Power MOSFET in a 8x8mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank capable for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

Small Footprint (8x8 mm)

Compact Design

Low RDS(on)

Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance

Minimize Driver Losses

Wettable Flank Option

Enhanced Optical Inspection

PPAP Capable

Application

Reverser Battery protection

Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)

onsemi Type N-Channel MOSFET, 337 A, 80 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMTS1D2N08H

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