onsemi NTMFS6H801N Type N-Channel MOSFET, 157 A, 80 V Enhancement, 5-Pin DFN

Sous-total (1 bobine de 1500 unités)*

1 089,00 €

(TVA exclue)

1 317,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Dernier stock RS
  • 3 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
la bobine*
1500 +0,726 €1 089,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
172-8785
Référence fabricant:
NTMFS6H801NT1G
Fabricant:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

157A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

NTMFS6H801N

Package Type

DFN

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

166W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

64nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.1mm

Width

5.1 mm

Height

1.1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Commercial Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.

Small Footprint (5x6 mm)

Compact Design

Low RDS(on)

Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance

Minimize Driver Losses

Applications

Switching power supplies

Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)

48V systems

Motor Control

Load Switch

DC/DC converter

Synchronous Rectifier

Liens connexes