Références fabricant

Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 3.6 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 Si2319DDS-T1-GE3

N° de stock RS:: 178-3853
Référence fabricant:: Si2319DDS-T1-GE3
Fabricant:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 3.6 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 Si2319DDS-T1-GE3

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 50 unités)*

18,85 €

(TVA exclue)

22,80 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

En voie de retrait du marché

4 900 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution

Unité	Prix par unité	le paquet*
50 - 50	0,377 €	18,85 €
100 - 450	0,32 €	16,00 €
500 - 950	0,283 €	14,15 €
1000 +	0,245 €	12,25 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 178-3853
Référence fabricant:: Si2319DDS-T1-GE3
Fabricant:: Vishay Siliconix

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay Siliconix
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	SOT-23
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	100mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	12.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd	1.7W
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	1.02mm
	Width	1.4 mm
	Length	3.04mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay Siliconix
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type SOT-23
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 100mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd 1.7W
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 1.02mm
	Width 1.4 mm
	Length 3.04mm
	Automotive Standard No

Datasheet

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 40V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 75mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 1.7W and continuous drain current of 3.6A. The minimum and a maximum driving voltage for this MOSFET is 4.5V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Battery switch

• Load switch

• Motor drive control

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested