Références fabricant

Vishay Dual TrenchFET 2 N-Channel MOSFET, 6 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQS966ENW-T1_GE3

N° de stock RS:: 178-3727
Référence fabricant:: SQS966ENW-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Dual TrenchFET 2 N-Channel MOSFET, 6 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQS966ENW-T1_GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 178-3727
Référence fabricant:: SQS966ENW-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	TrenchFET
	Package Type	PowerPAK 1212
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	60mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	27.8W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	12.1nC
	Forward Voltage Vf	820mV
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Transistor Configuration	Dual
	Standards/Approvals	No
	Length	3.15mm
	Width	3.15mm
	Height	1.07mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series TrenchFET
	Package Type PowerPAK 1212
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 27.8W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12.1nC
	Forward Voltage Vf 820mV
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Transistor Configuration Dual
	Standards/Approvals No
	Length 3.15mm
	Width 3.15mm
	Height 1.07mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :: CN

TrenchFET® power MOSFET

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