Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3

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N° de stock RS:
178-3702
Référence fabricant:
SiZ348DT-T1-GE3
Fabricant:
Vishay Siliconix
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Marque

Vishay Siliconix

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAIR 3 x 3

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

10mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

16.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12.1nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

-55°C

Width

3 mm

Height

0.75mm

Standards/Approvals

No

Length

3mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Statut RoHS : Exempté

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

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