ROHM RF4E110GN N-Channel MOSFET, 11 A, 30 V, 8-Pin DFN RF4E110GNTR

Voir l’ensemble des MOSFETs
Indisponible
RS n'aura plus ce produit en stock.
N° de stock RS:
177-7949
Référence fabricant:
RF4E110GNTR
Fabricant:
ROHM
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

ROHM

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

RF4E110GN

Package Type

DFN

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

16.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

7.4 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Length

2.1mm

Width

2.1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

0.6mm

Forward Diode Voltage

1.2V

N-Channel MOSFET Transistors, ROHM



MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Liens connexes