ROHM RF9 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 40 V Enhancement, 7-Pin DFN RF9G120BKFRATCR
- N° de stock RS:
- 265-421
- Référence fabricant:
- RF9G120BKFRATCR
- Fabricant:
- ROHM
Offre groupée disponible
Sous-total (1 ruban de 10 unités)*
5,83 €
(TVA exclue)
7,05 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,583 € | 5,83 € |
| 100 - 240 | 0,553 € | 5,53 € |
| 250 - 490 | 0,512 € | 5,12 € |
| 500 - 990 | 0,472 € | 4,72 € |
| 1000 + | 0,455 € | 4,55 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 265-421
- Référence fabricant:
- RF9G120BKFRATCR
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | RF9 | |
| Package Type | DFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 17.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 23W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series RF9 | ||
Package Type DFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 17.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 23W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM Automotive grade MOSFET is AEC-Q101 qualified, making it an excellent choice for Advanced Driver Assistance Systems, infotainment, lighting, and body applications. Its robust design ensures reliable performance in critical automotive environments.
Pb free lead plating
RoHS compliant
High power small mould package
Low on resistance
WettableFlank
Liens connexes
- ROHM RF9 P-Channel MOSFET 40 V, 7-Pin DFN RF9G120BJFRATCR
- ROHM RF9 P-Channel MOSFET 60 V, 7-Pin DFN RF9L120BJFRATCR
- ROHM SiC N-Channel MOSFET 1200 V, 7-Pin D2PAK SCT4036KW7TL
- ROHM QH8K26 Dual N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin TSMT QH8K26TR
- ROHM RF4E110GN N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin DFN RF4E110GNTR
- onsemi N-Channel MOSFET 40 V, 5-Pin DFN NTMFS5C468NLT1G
- onsemi N-Channel MOSFET 40 V, 5-Pin DFN NTMFS5C460NLT1G
- onsemi N-Channel MOSFET 40 V, 5-Pin DFN NTMFS5C430NLT1G
