onsemi NTMFS6H801N Type N-Channel MOSFET, 157 A, 80 V Enhancement, 5-Pin DFN NTMFS6H801NT1G

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172-8986
Référence fabricant:
NTMFS6H801NT1G
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

157A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

DFN

Series

NTMFS6H801N

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

64nC

Maximum Power Dissipation Pd

166W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.1mm

Standards/Approvals

No

Width

5.1 mm

Height

1.1mm

Automotive Standard

No

Commercial Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.

Small Footprint (5x6 mm)

Compact Design

Low RDS(on)

Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance

Minimize Driver Losses

Applications

Switching power supplies

Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)

48V systems

Motor Control

Load Switch

DC/DC converter

Synchronous Rectifier

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