ROHM RD3G500GN Type N-Channel MOSFET, 50 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252

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N° de stock RS:
172-0384
Référence fabricant:
RD3G500GNTL
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

RD3G500GN

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

35W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

31nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2.3mm

Standards/Approvals

JEDEC JESD22-A114, JEDEC JESD22-C101, JEITA ED-4701/302

Width

6.4 mm

Length

6.8mm

Automotive Standard

No

RD3G500GN is the low on - resistance MOSFET for switching application.

Low on - resistance

High power package (TO-252)

Pb-free lead plating

Halogen free

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