Références fabricant

Toshiba SSM6K403TU Type N-Channel Field Effect Transistor, 4.2 A, 20 V Enhancement, 6-Pin UF6 SSM6K403TU

N° de stock RS:: 171-2490
Référence fabricant:: SSM6K403TU
Fabricant:: Toshiba

Toshiba SSM6K403TU Type N-Channel Field Effect Transistor, 4.2 A, 20 V Enhancement, 6-Pin UF6 SSM6K403TU

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 25 unités)*

7,80 €

(TVA exclue)

9,45 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 80,00 €

Dernier stock RS

1 400 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution

Unité	Prix par unité	le paquet*
25 - 75	0,312 €	7,80 €
100 - 475	0,272 €	6,80 €
500 - 975	0,242 €	6,05 €
1000 +	0,213 €	5,33 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 171-2490
Référence fabricant:: SSM6K403TU
Fabricant:: Toshiba

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Toshiba
	Product Type	Field Effect Transistor
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	UF6
	Series	SSM6K403TU
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	66mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	500mW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	16.8nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±10 V
	Forward Voltage Vf	-0.8V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	0.7mm
	Length	1.7mm
	Standards/Approvals	No
	Width	2 mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Toshiba
	Product Type Field Effect Transistor
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type UF6
	Series SSM6K403TU
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 66mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 500mW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.8nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±10 V
	Forward Voltage Vf -0.8V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 0.7mm
	Length 1.7mm
	Standards/Approvals No
	Width 2 mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Pays d'origine :: TH

1.5V drive

Low ON-resistance: Ron = 66mΩ (max) (@VGS = 1.5V)

Ron = 43mΩ (max) (@VGS = 1.8V)

Ron = 32mΩ (max) (@VGS = 2.5V)

Ron = 28mΩ (max) (@VGS = 4.0V)

Toshiba SSM6K403TU Type N-Channel Field Effect Transistor, 4.2 A, 20 V Enhancement, 6-Pin UF6 SSM6K403TU

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 80,00 €

Liens connexes