Références fabricant

Toshiba Type N-Channel MOSFET, 30.8 A, 600 V Enhancement, 5-Pin DFN

N° de stock RS:: 171-2421
Référence fabricant:: TK31V60W5
Fabricant:: Toshiba

Toshiba Type N-Channel MOSFET, 30.8 A, 600 V Enhancement, 5-Pin DFN

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 171-2421
Référence fabricant:: TK31V60W5
Fabricant:: Toshiba

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Toshiba
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	30.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	DFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	5
	Maximum Drain Source Resistance Rds	109mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	-1.7V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	105nC
	Maximum Power Dissipation Pd	240W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	8mm
	Height	0.85mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Toshiba
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 30.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type DFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 5
	Maximum Drain Source Resistance Rds 109mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf -1.7V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 105nC
	Maximum Power Dissipation Pd 240W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 8mm
	Height 0.85mm
	Automotive Standard No

Statut RoHS non applicable

Pays d'origine :: CN

Switching Voltage Regulators

Fast reverse recovery time: trr = 135 ns (typ.)

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.087 Ω(typ.)

Easy to control Gate switching

Enhancement mode: Vth = 3 to 4.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.5 mA)

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