Toshiba Type N-Channel MOSFET, 30.8 A, 600 V Enhancement, 5-Pin DFN

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N° de stock RS:
171-2421
Référence fabricant:
TK31V60W5
Fabricant:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

DFN

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

109mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

105nC

Maximum Power Dissipation Pd

240W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1.7V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

8 mm

Length

8mm

Height

0.85mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
CN
Switching Voltage Regulators

Fast reverse recovery time: trr = 135 ns (typ.)

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.087 Ω(typ.)

Easy to control Gate switching

Enhancement mode: Vth = 3 to 4.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.5 mA)

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