Toshiba SSM6K403TU Type N-Channel Field Effect Transistor, 4.2 A, 20 V Enhancement, 6-Pin UF6

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N° de stock RS:
171-2405
Référence fabricant:
SSM6K403TU
Fabricant:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Product Type

Field Effect Transistor

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

SSM6K403TU

Package Type

UF6

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

66mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

500mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±10 V

Forward Voltage Vf

-0.8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16.8nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

1.7mm

Standards/Approvals

No

Width

2 mm

Height

0.7mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
TH
1.5V drive

Low ON-resistance: Ron = 66mΩ (max) (@VGS = 1.5V)

Ron = 43mΩ (max) (@VGS = 1.8V)

Ron = 32mΩ (max) (@VGS = 2.5V)

Ron = 28mΩ (max) (@VGS = 4.0V)

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