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DiodesZetex Full Bridge 4 Type N, Type P-Channel Power MOSFET, 1.8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC

N° de stock RS:: 169-0719
Référence fabricant:: ZXMHC6A07N8TC
Fabricant:: DiodesZetex

DiodesZetex Full Bridge 4 Type N, Type P-Channel Power MOSFET, 1.8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 150,00 €

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2500 +	0,46 €	1 150,00 €

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N° de stock RS:: 169-0719
Référence fabricant:: ZXMHC6A07N8TC
Fabricant:: DiodesZetex

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N, Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	350mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.36W
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	3.2nC
	Transistor Configuration	Full Bridge
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Standards/Approvals	UL 94V-0, AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202
	Height	1.5mm
	Width	4 mm
	Length	5mm
	Number of Elements per Chip	4
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque DiodesZetex
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N, Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 350mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.36W
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.2nC
	Transistor Configuration Full Bridge
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Standards/Approvals UL 94V-0, AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202
	Height 1.5mm
	Width 4 mm
	Length 5mm
	Number of Elements per Chip 4
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

DiodesZetex Full Bridge 4 Type N, Type P-Channel Power MOSFET, 1.8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC

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Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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