DiodesZetex Full Bridge 4 Type P, Type N-Channel MOSFET, 7.8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

872,50 €

(TVA exclue)

1 055,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 22 500 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,349 €872,50 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
122-3273
Référence fabricant:
DMHC3025LSD-13
Fabricant:
DiodesZetex
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

DiodesZetex

Channel Type

Type P, Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

7.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

80mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.4nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.5W

Forward Voltage Vf

0.7V

Transistor Configuration

Full Bridge

Maximum Operating Temperature

-55°C

Height

1.5mm

Width

3.95 mm

Standards/Approvals

UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020

Length

4.95mm

Number of Elements per Chip

4

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.


MOSFET Transistors, Diodes Inc.


Liens connexes