Références fabricant

DiodesZetex Full Bridge 4 Type P, Type N-Channel MOSFET, 850 mA, 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC

N° de stock RS:: 122-1421
Référence fabricant:: ZXMHC10A07N8TC
Fabricant:: DiodesZetex

DiodesZetex Full Bridge 4 Type P, Type N-Channel MOSFET, 850 mA, 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 367,50 €

(TVA exclue)

1 655,00 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 20 avril 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	la bobine*
2500 +	0,547 €	1 367,50 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 122-1421
Référence fabricant:: ZXMHC10A07N8TC
Fabricant:: DiodesZetex

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Channel Type	Type P, Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	850mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.45mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	1.36W
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	0.95V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	2.9nC
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Transistor Configuration	Full Bridge
	Length	5mm
	Standards/Approvals	RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0
	Width	4 mm
	Height	1.5mm
	Number of Elements per Chip	4
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque DiodesZetex
	Channel Type Type P, Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 850mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.45mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 1.36W
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 0.95V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.9nC
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Transistor Configuration Full Bridge
	Length 5mm
	Standards/Approvals RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0
	Width 4 mm
	Height 1.5mm
	Number of Elements per Chip 4
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

DiodesZetex Full Bridge 4 Type P, Type N-Channel MOSFET, 850 mA, 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Liens connexes