DiodesZetex Full Bridge 4 Type N, Type P-Channel Power MOSFET, 1.8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin ZXMHC6A07T8TA

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669-7461
Référence fabricant:
ZXMHC6A07T8TA
Fabricant:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N, Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

1.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

425mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1.7W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.2nC

Forward Voltage Vf

0.85V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Full Bridge

Width

3.7 mm

Height

1.6mm

Length

6.7mm

Standards/Approvals

J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0

Number of Elements per Chip

4

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
DE

Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.


MOSFET Transistors, Diodes Inc.


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