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IXYS HiperFET, Polar3 N-Channel MOSFET, 64 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-264 IXFK64N60P3

N° de stock RS:: 168-4735
Référence fabricant:: IXFK64N60P3
Fabricant:: IXYS

IXYS HiperFET, Polar3 N-Channel MOSFET, 64 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-264 IXFK64N60P3

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N° de stock RS:: 168-4735
Référence fabricant:: IXFK64N60P3
Fabricant:: IXYS

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	IXYS
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	64A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	HiperFET, Polar3
	Package Type	TO-264
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	95mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-30V, +30V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	145nC
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.13kW
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	26.16mm
	Width	5.13mm
	Standards/Approvals	No
	Length	19.96mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque IXYS
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 64A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series HiperFET, Polar3
	Package Type TO-264
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 95mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -30V, +30V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 145nC
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.13kW
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 26.16mm
	Width 5.13mm
	Standards/Approvals No
	Length 19.96mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: US

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series

A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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