IXYS Type N-Channel MOSFET, 120 A, 300 V Enhancement, 3-Pin TO-264

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146-1745
Référence fabricant:
IXFK120N30P3
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

300V

Package Type

TO-264

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

27mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

150nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Power Dissipation Pd

1.13kW

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

26.16mm

Standards/Approvals

No

Width

5.13 mm

Length

19.96mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
US

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series


A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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