IXYS Type N-Channel MOSFET, 110 A, 600 V Enhancement, 3-Pin PLUS264

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N° de stock RS:
168-4726
Référence fabricant:
IXFB110N60P3
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

PLUS264

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

56mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

245nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.89kW

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.31 mm

Length

20.29mm

Standards/Approvals

No

Height

26.59mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
US

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series


A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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