IXYS Polar HiPerFET Type N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN200N10P
- N° de stock RS:
- 125-8040
- Référence fabricant:
- IXFN200N10P
- Fabricant:
- IXYS
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- N° de stock RS:
- 125-8040
- Référence fabricant:
- IXFN200N10P
- Fabricant:
- IXYS
Spécifications
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 200A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | Polar HiPerFET | |
| Package Type | SOT-227 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 680W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 235nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 38.23mm | |
| Width | 25.07 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 9.6mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 200A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series Polar HiPerFET | ||
Package Type SOT-227 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 680W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 235nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 38.23mm | ||
Width 25.07 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 9.6mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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