IXYS Type N-Channel MOSFET, 53 A, 800 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN60N80P

Offre groupée disponible

Sous-total (1 unité)*

43,50 €

(TVA exclue)

52,64 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 51 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
  • Plus 387 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 143,50 €
2 - 437,37 €
5 - 936,38 €
10 - 1935,45 €
20 +34,56 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
194-350
Numéro d'article Distrelec:
302-53-376
Référence fabricant:
IXFN60N80P
Fabricant:
IXYS
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

53A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

140mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.04kW

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

250nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

9.6mm

Width

25.42 mm

Standards/Approvals

No

Length

38.23mm

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

30253376

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Liens connexes