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IXYS HiperFET, Polar Type N-Channel MOSFET, 53 A, 800 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN60N80P

N° de stock RS:: 194-350
Numéro d'article Distrelec:: 302-53-376
Référence fabricant:: IXFN60N80P
Fabricant:: IXYS

IXYS HiperFET, Polar Type N-Channel MOSFET, 53 A, 800 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN60N80P

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N° de stock RS:: 194-350
Numéro d'article Distrelec:: 302-53-376
Référence fabricant:: IXFN60N80P
Fabricant:: IXYS

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	IXYS
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	53A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	SOT-227
	Series	HiperFET, Polar
	Mount Type	Panel
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	140mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	1.04kW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	250nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	9.6mm
	Length	38.23mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque IXYS
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 53A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type SOT-227
	Series HiperFET, Polar
	Mount Type Panel
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 140mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 1.04kW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 250nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 9.6mm
	Length 38.23mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

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