onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET, 11.2 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

3 170,00 €

(TVA exclue)

3 835,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 27 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +1,268 €3 170,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
166-2650
Référence fabricant:
FDS86140
Fabricant:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

11.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

PowerTrench

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

17mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

5 mm

Height

1.5mm

Length

4mm

Automotive Standard

No

PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor


MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Liens connexes