Références fabricant

onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 3.4 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC

N° de stock RS:: 166-2475
Référence fabricant:: FDS86106
Fabricant:: onsemi

onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 3.4 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 166-2475
Référence fabricant:: FDS86106
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	PowerTrench
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	177mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	3nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	5W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	4mm
	Width	5mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.5mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series PowerTrench
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 177mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 5W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 4mm
	Width 5mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.5mm
	Automotive Standard No

PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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