Vishay SiHF630S Type N-Channel MOSFET, 9 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 800 unités)*

555,20 €

(TVA exclue)

672,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 18 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
800 +0,694 €555,20 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
165-5995
Référence fabricant:
SIHF630STRL-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

SiHF630S

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

400mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

74W

Forward Voltage Vf

2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

9.65 mm

Height

4.83mm

Length

10.67mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Liens connexes