Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 190 mA, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS119NH6327XTSA1

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

144,00 €

(TVA exclue)

174,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 6 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,048 €144,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
165-5873
Référence fabricant:
BSS119NH6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

190mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SOT-23

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

10Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

500mW

Forward Voltage Vf

0.8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.6nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.9mm

Height

1mm

Width

1.3 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Liens connexes