Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- N° de stock RS:
- 124-9035
- Référence fabricant:
- 2N7002H6327XTSA2
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 bobine de 3000 unités)*
108,00 €
(TVA exclue)
132,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 24 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 13 août 2026
- Plus 24 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 20 août 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,036 € | 108,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,03 € | 90,00 € |
| 15000 + | 0,028 € | 84,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 124-9035
- Référence fabricant:
- 2N7002H6327XTSA2
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 300mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500mW | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1mm | |
| Length | 2.9mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 300mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500mW | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1mm | ||
Length 2.9mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Liens connexes
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 2N7002H6327XTSA2
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS670S2LH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS123NH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS123NH6433XTMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS119NH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23