Vishay Si2374DS Type N-Channel MOSFET, 5.9 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2374DS-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 152-6360
- Référence fabricant:
- SI2374DS-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 50 unités)*
9,50 €
(TVA exclue)
11,50 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Dernier stock RS
- 1 250 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 0,19 € | 9,50 € |
| 250 - 450 | 0,133 € | 6,65 € |
| 500 - 1200 | 0,118 € | 5,90 € |
| 1250 - 2450 | 0,097 € | 4,85 € |
| 2500 + | 0,095 € | 4,75 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 152-6360
- Référence fabricant:
- SI2374DS-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | Si2374DS | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.041Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±8 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.7W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | Lead (Pb)-Free | |
| Width | 1.4 mm | |
| Height | 1.02mm | |
| Length | 3.04mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series Si2374DS | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.041Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±8 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.7W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals Lead (Pb)-Free | ||
Width 1.4 mm | ||
Height 1.02mm | ||
Length 3.04mm | ||
Automotive Standard No | ||
TrenchFET® power MOSFET
Material categorization:
APPLICATIONS
Load switch
Power management
Liens connexes
- Vishay Si2374DS Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si2343CDS Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2343CDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2365EDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si2343CDS Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si3476DV Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 SI3476DV-T1-GE3
- Vishay Si2338DS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 Si2338DS-T1-GE3
- Vishay Si2304DDS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2304DDS-T1-GE3