P-Channel MOSFET, 4.7 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2343CDS-T1-GE3

N° de stock RS:: 165-6908
Référence fabricant:: SI2343CDS-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

P-Channel MOSFET, 4.7 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2343CDS-T1-GE3

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N° de stock RS:: 165-6908
Référence fabricant:: SI2343CDS-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Si2343CDS, P-Channel 30V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attribut	Valeur
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	4.7 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Package Type	SOT-23
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	75 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1.2V
Maximum Power Dissipation	2.5 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip	1
Width	1.4mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	3.04mm
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	13.6 nC @ 10 V
Height	1.02mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

P-Channel MOSFET, 4.7 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2343CDS-T1-GE3

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P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor