Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 5.9 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

153,00 €

(TVA exclue)

186,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 51 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,051 €153,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
165-6934
Référence fabricant:
SI2365EDS-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

5.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0675Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-50°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13.8nC

Forward Voltage Vf

-0.8V

Maximum Power Dissipation Pd

1.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.4 mm

Height

1.02mm

Length

3.04mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Liens connexes