Références fabricant

onsemi UniFET Type N-Channel MOSFET, 680 mA, 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDV303N

N° de stock RS:: 121-2747
Numéro d'article Distrelec:: 304-36-911
Référence fabricant:: FDV303N
Fabricant:: onsemi

onsemi UniFET Type N-Channel MOSFET, 680 mA, 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDV303N

Offre groupée disponible

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 100 unités)*

9,70 €

(TVA exclue)

11,70 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

En stock

Plus 400 unité(s) expédiée(s) à partir du 28 août 2026
Plus 3 200 unité(s) expédiée(s) à partir du 04 septembre 2026
Plus 9 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 25 novembre 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le paquet*
100 - 400	0,097 €	9,70 €
500 - 900	0,084 €	8,40 €
1000 +	0,073 €	7,30 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 121-2747
Numéro d'article Distrelec:: 304-36-911
Référence fabricant:: FDV303N
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	680mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	25V
	Series	UniFET
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	450mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-1.6V
	Maximum Power Dissipation Pd	350mW
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.64nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	0.93mm
	Width	1.3mm
	Length	2.92mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 680mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 25V
	Series UniFET
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 450mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -1.6V
	Maximum Power Dissipation Pd 350mW
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.64nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 0.93mm
	Width 1.3mm
	Length 2.92mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.