Références fabricant

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 210 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220

N° de stock RS:: 124-8962
Référence fabricant:: IRFB3206PBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 210 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220

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Unité	Prix par unité	le tube*
50 - 50	1,312 €	65,60 €
100 - 200	1,168 €	58,40 €
250 - 450	1,105 €	55,25 €
500 - 950	1,077 €	53,85 €
1000 +	1,05 €	52,50 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 124-8962
Référence fabricant:: IRFB3206PBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	210A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TO-220
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	120nC
	Maximum Power Dissipation Pd	300W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.67mm
	Height	9.02mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4.83 mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 210A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TO-220
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 120nC
	Maximum Power Dissipation Pd 300W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.67mm
	Height 9.02mm
	Standards/Approvals No
	Width 4.83 mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

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