Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 210 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220

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N° de stock RS:
262-6721
Référence fabricant:
IRF2204PBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

210A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

HEXFET

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This design has additional features such as 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.

Ultra low on-resistance

Dynamic dv/dt rating

Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

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