Références fabricant

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 210 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB3206PBF

N° de stock RS:: 495-574
Numéro d'article Distrelec:: 302-84-033
Référence fabricant:: IRFB3206PBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 210 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB3206PBF

Offre groupée disponible

Sous-total (1 unité)*

1,73 €

(TVA exclue)

2,09 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

En stock

Plus 86 unité(s) expédiée(s) à partir du 19 janvier 2026
Plus 184 unité(s) expédiée(s) à partir du 19 janvier 2026
Plus 72 unité(s) expédiée(s) à partir du 26 janvier 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité
1 - 9	1,73 €
10 - 49	1,61 €
50 - 99	1,51 €
100 - 249	1,42 €
250 +	1,32 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 495-574
Numéro d'article Distrelec:: 302-84-033
Référence fabricant:: IRFB3206PBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	210A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	300W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	120nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.67mm
	Height	9.02mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4.83 mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 210A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 300W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 120nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.67mm
	Height 9.02mm
	Standards/Approvals No
	Width 4.83 mm
	Automotive Standard No

Se connecter pour voir les modèles CAO

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon

Motor Control MOSFET

Infineon offers a comprehensive portfolio of rugged N-channel and P-channel MOSFET devices for motor control applications.

Synchronous Rectifier MOSFET

A portfolio of synchronous rectification MOSFET devices for AC-DC power supplies supports the customer demands for higher power density, smaller size, more portability and more flexible systems.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.