Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 1.2 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

Visuel non contractuel

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

191,00 €

(TVA exclue)

231,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 07 août 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 +0,191 €191,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
124-8756
Référence fabricant:
BSP296NH6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

1.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

OptiMOS

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

800mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.85V

Maximum Power Dissipation Pd

1.8W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

6.5mm

Height

1.6mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.