Microchip Half Bridge Phase Leg SiC MOSFET N channel-Channel MOSFET Modules, 266 A, 1200 V Enhancement

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N° de stock RS:
931-018
Référence fabricant:
MSCSMC120AM04TBZ2AEG
Fabricant:
Microchip
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Marque

Microchip

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET Modules

Maximum Continuous Drain Current Id

266A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

Phase Leg SiC MOSFET

Mount Type

Direct Mount

Maximum Drain Source Resistance Rds

6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

4.7V

Maximum Power Dissipation Pd

766W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

23V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

726nC

Transistor Configuration

Half Bridge

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Microchip Advanced power module offers a highly efficient phase leg solution, designed specifically for demanding applications where reliability and performance are critical.

Utilises Silicon Carbide technology for reduced energy loss

Features low R over temperature drift, ensuring stable operation

Incorporates an internal thermistor for precise temperature oversight

Delivers outstanding performance in high-frequency environments

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