ROHM Half Bridge BSM Type N-Channel SiC Power Module, 240 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin BSM120D12P2C005
- N° de stock RS:
- 144-2257
- Référence fabricant:
- BSM120D12P2C005
- Fabricant:
- ROHM
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Unité | Prix par unité |
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- Référence fabricant:
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Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | SiC Power Module | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 240A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | BSM | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Half Bridge | |
| Width | 45.6 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 122mm | |
| Height | 17mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type SiC Power Module | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 240A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series BSM | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Half Bridge | ||
Width 45.6 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 122mm | ||
Height 17mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- JP
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.
Half-Bridge configuration
Low Surge Current
Low Power Switching Losses
High-Speed Switching
Low Operating Temperature
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Note
BSM180D12P2C101 SiC Power Module does not include Schottky Barrier Diodes.
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