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Microchip Half Bridge mSiC N channel-Channel SiC Power Module, 295 A, 3300 V Enhancement Mode MSCSM330DUM07CD3NG

N° de stock RS:: 854-514
Référence fabricant:: MSCSM330DUM07CD3NG
Fabricant:: Microchip

Microchip Half Bridge mSiC N channel-Channel SiC Power Module, 295 A, 3300 V Enhancement Mode MSCSM330DUM07CD3NG

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N° de stock RS:: 854-514
Référence fabricant:: MSCSM330DUM07CD3NG
Fabricant:: Microchip

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Microchip
	Product Type	SiC Power Module
	Channel Type	N channel
	Maximum Continuous Drain Current Id	295A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	3300V
	Series	mSiC
	Mount Type	Heatsink
	Channel Mode	Enhancement Mode
	Maximum Power Dissipation Pd	1918W
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Transistor Configuration	Half Bridge
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

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	Marque Microchip
	Product Type SiC Power Module
	Channel Type N channel
	Maximum Continuous Drain Current Id 295A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 3300V
	Series mSiC
	Mount Type Heatsink
	Channel Mode Enhancement Mode
	Maximum Power Dissipation Pd 1918W
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Transistor Configuration Half Bridge
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - MSCSM330DUM07CD3NG

The Microchip silicon carbide power module combines dual common source functionality with high voltage capabilities, designed for efficient operation and superior performance in demanding applications.

Low R DS(on) ensures minimal power loss

Temperature-independent switching behaviour enhances reliability

Copper baseplate provides excellent thermal management

RoHS compliant for environmentally friendly operations

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