Microchip Half Bridge mSiC N-Channel SiC Power Module, 295 A, 3300 V Enhancement Mode MSCSM330DUM07CD3NG
- N° de stock RS:
- 854-514
- Référence fabricant:
- MSCSM330DUM07CD3NG
- Fabricant:
- Microchip
Visuel non contractuel
Sous-total (1 unité)*
898,88 €
(TVA exclue)
1 087,64 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 30 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 + | 898,88 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 854-514
- Référence fabricant:
- MSCSM330DUM07CD3NG
- Fabricant:
- Microchip
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | SiC Power Module | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 295A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 3300V | |
| Series | mSiC | |
| Mount Type | Heatsink | |
| Channel Mode | Enhancement Mode | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1918W | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Transistor Configuration | Half Bridge | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Channel Type N | ||
Product Type SiC Power Module | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 295A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 3300V | ||
Series mSiC | ||
Mount Type Heatsink | ||
Channel Mode Enhancement Mode | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1918W | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Transistor Configuration Half Bridge | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Microchip silicon carbide power module combines dual common source functionality with high voltage capabilities, designed for efficient operation and superior performance in demanding applications.
Low R DS(on) ensures minimal power loss
Temperature-independent switching behaviour enhances reliability
Copper baseplate provides excellent thermal management
RoHS compliant for environmentally friendly operations
Liens connexes
- Microchip Half Bridge mSiC N channel-Channel SiC Power Module 3300 V Enhancement Mode MSCSM330AM07CD3NG
- Microchip Half Bridge mSiC N channel-Channel SiC Power Module 3300 V Enhancement Mode MSCSM330AM07D3NG
- Microchip Half Bridge mSiC N channel-Channel SiC Power Module 3300 V Enhancement Mode MSCSM330DUM07D3NG
- Microchip Half Bridge mSiC N channel-Channel SiC Power Module 3300 V Enhancement Mode MSCSM330AM15CD3NG
- Microchip Half Bridge mSiC N channel-Channel SiC Power Module 3300 V Enhancement Mode MSCSM330AM15D3NG
- ROHM 4th Generation SiC MOSFET Half Bridge Evaluation Board SiC MOSFET for SiC MOSFET for Motor Drives
- ROHM Half Bridge BSM Type N-Channel SiC Power Module 1200 V Enhancement, 4-Pin BSM120D12P2C005
- Microchip mSiC N channel-Channel MOSFET 3300 V, 4-Pin TO-247-4L MSC080SMA330B4N