Microchip mSiC N channel-Channel MOSFET, 27 A, 3300 V, 4-Pin TO-247-4L MSC080SMA330B4N
- N° de stock RS:
- 813-825
- Référence fabricant:
- MSC080SMA330B4N
- Fabricant:
- Microchip
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- N° de stock RS:
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Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 27A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 3300V | |
| Package Type | TO-247-4L | |
| Series | mSiC | |
| Mount Type | Screw | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 80mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 439W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 161nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 5.21mm | |
| Length | 16.13mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Width | 23.6mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 27A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 3300V | ||
Package Type TO-247-4L | ||
Series mSiC | ||
Mount Type Screw | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 80mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 439W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 161nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 5.21mm | ||
Length 16.13mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Width 23.6mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Microchip N Channel mSiC MOSFET is a high-performance electronic switch designed to operate efficiently at high voltages and temperatures. It primarily functions to regulate power in Advanced applications.
Low capacitances and gate charge enhance switching efficiency
Rapid switching speed ensures optimal performance with reduced losses
Stable operation at high junction temperatures up to 150 °C
Reliable body diode contributes to system stability and longevity