Références fabricant

STMicroelectronics STB Series N-Channel MOSFET, 56 A, 250 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-263 STB25N018M9

N° de stock RS:: 830-840
Référence fabricant:: STB25N018M9
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STB Series N-Channel MOSFET, 56 A, 250 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-263 STB25N018M9

Visuel non contractuel

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 830-840
Référence fabricant:: STB25N018M9
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	56A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	250V
	Series	STB Series
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	18mΩ
	Channel Mode	Enhancement Mode
	Forward Voltage Vf	1.6V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Maximum Power Dissipation Pd	320W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	85nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.3mm
	Height	4.5mm
	Width	10mm
	Standards/Approvals	ROHS
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 56A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 250V
	Series STB Series
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 18mΩ
	Channel Mode Enhancement Mode
	Forward Voltage Vf 1.6V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Maximum Power Dissipation Pd 320W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 85nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.3mm
	Height 4.5mm
	Width 10mm
	Standards/Approvals ROHS
	Automotive Standard No

Datasheet - STB25N018M9

Pays d'origine :: CN

The STMicroelectronics Power MOSFET is an N-channel super-junction component built on Advanced MDmesh M9 technology. It enables smaller more Compact layouts without compromising thermal capacity.

D2PAK surface-mount assembly package style

Silicon-based multi-drain manufacturing process

Low gate charge with outstanding efficiency

Enhanced dv/dt capability and avalanche tested

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