STMicroelectronics STB Type N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

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N° de stock RS:
192-4649
Référence fabricant:
STB18N60M6
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

13A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-263

Series

STB

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

280mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16.8nC

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

4.37mm

Width

9.35 mm

Length

10.4mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The new MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.

Reduced switching losses

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate input resistance

Zener-protected

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