Vishay SISS N-Channel Single MOSFETs, 14.2 A, 100 V Enhancement Mode, 8-Pin P SISS110DN-T1-GE3

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829-345
Référence fabricant:
SISS110DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

14.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SISS

Package Type

P

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.054Ω

Channel Mode

Enhancement Mode

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

24W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Length

3.3mm

Height

1.04mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
IL
The Vishay N-Channel MOSFET delivers efficient power management solutions with excellent conduction capabilities. Designed for demanding applications, it offers superior switching and thermal performance.

Features TrenchFET Gen IV technology for superior efficiency and performance

Guaranteed 100% RDS(on) and UIS tested for reliability in operation

Continuous drain current rating of 11 A ensures robust delivery

Optimised for low RDS(on) values, enhancing thermal performance

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