Vishay SISS Type N-Channel MOSFET, 36 A, 40 V Enhancement, 8-Pin 1212-8 SISS4410DN-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 279-9990
- Référence fabricant:
- SISS4410DN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 10 unités)*
6,85 €
(TVA exclue)
8,29 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 5 960 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,685 € | 6,85 € |
| 50 - 90 | 0,515 € | 5,15 € |
| 100 - 240 | 0,457 € | 4,57 € |
| 250 - 990 | 0,448 € | 4,48 € |
| 1000 + | 0,438 € | 4,38 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 279-9990
- Référence fabricant:
- SISS4410DN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 36A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | 1212-8 | |
| Series | SISS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.009Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 19.8W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 18nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 36A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type 1212-8 | ||
Series SISS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.009Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 19.8W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
TrenchFET power MOSFET
Fully lead (Pb)-free device
Very low RDS x Qg figure of merit
100 percent Rg and UIS tested
Liens connexes
- Vishay SISS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin 1212-8 SISS4410DN-T1-GE3
- Vishay SIS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin 1212-8 SIS4634LDN-T1-GE3
- Vishay SIS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS112LDN-T1-GE3
- Vishay SISS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS5110DN-T1-GE3
- Vishay SISS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS5112DN-T1-GE3
- Vishay SISS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS5108DN-T1-GE3
- Vishay SISS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS4402DN-T1-GE3
- Vishay SISS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS5808DN-T1-GE3