ROHM N channel-Channel MOSFET, 12 A, 100 V, 7-Pin DFN2020Y7LSAA RF9P120BLFRATCR
- N° de stock RS:
- 780-678
- Référence fabricant:
- RF9P120BLFRATCR
- Fabricant:
- ROHM
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | DFN2020Y7LSAA | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 81Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 23W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.65mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Width | 2.1mm | |
| Length | 2.1mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type DFN2020Y7LSAA | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 81Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 23W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.65mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Width 2.1mm | ||
Length 2.1mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM Power MOSFET delivers high-performance N-channel switching for automotive and industrial power management. This AEC-Q101 qualified device is engineered for high-voltage applications, ensuring efficient operation in demanding vehicle environments.
Drain to source voltage of 100 V
Continuous drain current of 12 A
Compact DFN2020Y surface mount package
Enhanced thermal performance via exposed pad
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