ROHM N channel-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 7-Pin DFN2020Y7LSAA RF9L120BLFRATCR
- N° de stock RS:
- 780-677
- Référence fabricant:
- RF9L120BLFRATCR
- Fabricant:
- ROHM
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 10 unités)*
6,01 €
(TVA exclue)
7,27 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Nouveau produit - précommandez dès aujourd'hui
- Expédition à partir du 29 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,601 € | 6,01 € |
| 100 - 490 | 0,529 € | 5,29 € |
| 500 + | 0,427 € | 4,27 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 780-677
- Référence fabricant:
- RF9L120BLFRATCR
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | DFN2020Y7LSAA | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 38Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 23W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 2.1mm | |
| Length | 2.1mm | |
| Height | 0.65mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type DFN2020Y7LSAA | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 38Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 23W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 2.1mm | ||
Length 2.1mm | ||
Height 0.65mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM Power MOSFET delivers high-performance N-channel switching for automotive power management. This AEC-Q101 qualified device is engineered for ADAS and infotainment systems, ensuring efficient operation in demanding vehicle environments.
Drain to source voltage of 60 V
Continuous drain current of 12 A
35 mOhm typical on-resistance
High power dissipation of 23 W
Liens connexes
- ROHM N channel-Channel MOSFET 100 V, 7-Pin DFN2020Y7LSAA RF9P120BLFRATCR
- ROHM N channel-Channel MOSFET 40 V, 7-Pin DFN2020Y7LSAA RF9G120BLFRATCR
- ROHM RF9L120BKFRA Type N-Channel MOSFET 60 V Depletion, 6-Pin DFN2020Y7LSAA RF9L120BKFRATCR
- ROHM RF9P120BKFRA Type N-Channel Single MOSFETs 6-Pin DFN2020Y7LSAA RF9P120BKFRATCR
- ROHM RF9 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 7-Pin DFN RF9L120BJFRATCR
- ROHM N channel-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin HSMT RQ3L120BLFRATCB
- ROHM P-Channel MOSFET 12 V, 8-Pin TSMT RQ1A070ZPTR
- ROHM Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 7-Pin TO-263
