Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET, 339 A, 60 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH99N06NM5ATMA1

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N° de stock RS:
762-986
Référence fabricant:
IQFH99N06NM5ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

N channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

339A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PG-TSON-12

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

12

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.99mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

214W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

115nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.1mm

Length

8mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

6mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
MY
The Infineon OptiMOS 5Power-Transistor,60V optimized for low voltage drives, battery powered and synchronous rectification application. Fully qualified according to JEDEC for industrial applications.

100% avalanche tested

Superior thermal resistance

N-channel

Pb-free lead plating, RoHS compliant

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