Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET, 510 A, 60 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH61N06NM5ATMA1

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N° de stock RS:
762-983
Référence fabricant:
IQFH61N06NM5ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

510A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PG-TSON-12

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

12

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.61mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

190nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.1mm

Length

8mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
MY
The Infineon OptiMOS 5Power-Transistor,60V optimized for low voltage drives, battery powered and synchronous rectification application. Fully qualified according to JEDEC for industrial applications.

100% avalanche tested

Superior thermal resistance

N-channel

Pb-free lead plating, RoHS compliant

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