STMicroelectronics SCTL35N65G2V Type N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PowerFLAT

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N° de stock RS:
213-3941
Référence fabricant:
SCTL35N65G2V
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PowerFLAT

Series

SCTL35N65G2V

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

67mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

73nC

Maximum Power Dissipation Pd

417W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Forward Voltage Vf

3.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

0.95mm

Standards/Approvals

No

Width

8.1 mm

Length

8.1mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

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