Références fabricant

Vishay SIEH3812EW N-Channel MOSFET, 322 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 8 x 8 SIEH3812EW-T1-GE3

N° de stock RS:: 736-346
Référence fabricant:: SIEH3812EW-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SIEH3812EW N-Channel MOSFET, 322 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 8 x 8 SIEH3812EW-T1-GE3

Sous-total (1 ruban de 1 unité)*

6,18 €

(TVA exclue)

7,48 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 16 juillet 2027

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Ruban(s)	le ruban
1 +	6,18 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 736-346
Référence fabricant:: SIEH3812EW-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	322A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	PowerPAK 8 x 8
	Series	SIEH3812EW
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.00175Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	154nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	417W
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	8mm
	Width	8mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 322A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type PowerPAK 8 x 8
	Series SIEH3812EW
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00175Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 154nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 417W
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 8mm
	Width 8mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SIEH3812EW-T1-GE3

Pays d'origine :: DE

The Vishay Power MOSFET delivers exceptional performance in high-efficiency applications, featuring an N-Channel design that supports significant continuous drain current, Ideal for Advanced energy management solutions.

Fully lead (Pb)-free and halogen-free construction for environmental compliance

Tested at 100% for R and UIS to guarantee reliability

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.