Vishay SiR N channel-Channel MOSFET, 518 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8S SiRS4302DP

Visuel non contractuel

Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 unité)*

3,43 €

(TVA exclue)

4,15 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Informations sur le stock actuellement non accessibles - Veuillez vérifier plus tard

Unité
Prix par unité
1 - 93,43 €
10 - 242,23 €
25 - 991,21 €
100 - 4991,20 €
500 +1,19 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
735-148
Référence fabricant:
SiRS4302DP
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

518A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK SO-8S

Series

SiR

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00057Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

245W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

153nC

Forward Voltage Vf

30V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2mm

Width

5mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

6mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel MOSFET rated for 60V drain-source voltage, optimized for high-efficiency switching in AI power server DC/DC converters and synchronous rectification circuits. It achieves very low on-resistance of 1.7mΩ maximum at 10V gate drive for minimal conduction losses in high-current applications

87A continuous drain current at TA=25°C

Low RDS(on) x Qg figure-of-merit for superior switching performance

100% Rg and UIS tested construction

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.