Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 126 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5406DP-T1-UE3

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N° de stock RS:
735-274
Référence fabricant:
SIR5406DP-T1-UE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

126A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PowerPAK SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0033Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

71.4W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

44nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.25mm

Height

1.12mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
IL
The Vishay N channel MOSFET is built for high-efficiency power conversion and control in demanding electronic systems. it ensures robust performance with comprehensive testing, while maintaining compliance with environmental standards. its versatility makes it Ideal for applications requiring reliable rectification, Compact dc/dc solutions, and precise motor drive control.

Provides 100% Rg and UIS testing for proven reliability

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